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CSD17581Q3A  与  BSC883N03LS G  区别

型号 CSD17581Q3A BSC883N03LS G
唯样编号 A36-CSD17581Q3A A-BSC883N03LS G
制造商 TI Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 30 V 21A(Ta) 2.8W(Ta),63W(Tc) 8-VSONP(3x3.3)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.8mΩ
上升时间 - 4.4ns
漏源极电压Vds - 34V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 26ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN -
连续漏极电流Id - 98A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - BSC883N03
长度 - 5.9mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 6.4ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 394 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥2.761
100+ :  ¥2.123
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD17581Q3A TI  数据手册 未分类

¥2.761 

阶梯数 价格
20: ¥2.761
100: ¥2.123
394 当前型号
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥5.2704 

阶梯数 价格
30: ¥5.2704
50: ¥3.5743
100: ¥3.0089
300: ¥2.6256
500: ¥2.549
1,000: ¥2.4915
2,360 对比
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 80 对比
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 对比
BSC883N03LS G Infineon 功率MOSFET

BSC883N03LSGATMA1_34V 98A 3.8mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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